7月27日,长鑫科技(688825.SH)正

北京时间8月15日,据调查记者PabloTo
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7月27日,长鑫科技(688825.SH)正式登陆资本市场。长鑫科技募资总额达579.19亿元,超越2020年中芯国际的532亿元募资总额,成为科创板史上规模最大的IPO。长鑫科技发行价8.66元/股,对应市值约5792亿元。截至7月27日收盘,长鑫科技涨幅465.82%,市值达到3.27万亿元,成交额突破1400亿元。就在一个月前,主打国产DRAM设计的西安紫光国芯(874451)向北交所递交了招股书,核心业务包括存储产品研发、销售和集成电路设计服务,下游对接通信、物联网、AI、车规等领域。两家公司,一个挂牌科创板,一个选择北交所;一个走IDM重资产路线,一个走Fabless轻资产路线;一个市值突破3万亿,一个体量尚小但增长迅猛。但两者的技术血脉,都指向了曾经的存储器巨头奇梦达(Qimonda)。这家2009年破产的德国半导体企业,十余年后,在西安和合肥完成了另一种形式的“重生”。长鑫拿到“火种”2004年前后,全球第六大半导体制造商,全球第三大存储器供应商德国英飞凌科技公司,将在华设立的第一家研发中心落地西安高新区,该中心主要为其全球系统产品提供芯片设计服务。2006年,英飞凌科技公司将存储器业务分拆,独立为奇梦达(Qimonda),彼时奇梦达已经是全球内存产品主要供应商之一,分拆后一度坐上全球第二大DRAM供应商的宝座。西安存储事业部也随之独立运营,成立奇梦达科技(西安)有限公司,并成功设计开发出多款存储器产品。但好景不长,2008年,全球存储器行业的剧烈波动袭来,DRAM现货价格大跌,奇梦达当年上半年亏损严重。到2008年底,公司现金流枯竭,奇梦达向母公司英飞凌和德国政府发出紧急求援。2009年1月,在所有注资请求遭到拒绝后,奇梦达宣布进入破产保护程序。破产留下了关键资产:多项DRAM专利,以及一套完整的、独立于三星-海力士-美光三角之外的存储单元架构,即被称为“埋入式字线架构”(BuriedWordline,简称BWL)的技术。时至今日,这一架构已是全球主流DRAM厂商的核心技术路线。作为该技术的早期先驱之一,奇梦达精准押中了行业技术的未来,但公司却没有撑到那一天。2015年,加拿大专利运营公司PolarisInnovations以约3000万欧元从英飞凌手中买下了这批专利。据第一财经报道,经过系列谈判,长鑫通过Polaris获得大量来自英飞凌原内存部门奇梦达的DRAM技术专利实施许可,这一举措规避了长鑫侵权海外存储厂商专利的风险。长鑫科技董事长朱一明在2019年5月的演讲中宣布了此事。来源:长鑫科技官微2019年12月5日,长鑫科技在官方微信公号宣布,就原动态随机存取存储芯片制造商奇梦达开发的DRAM专利,长鑫与Polaris达成专利许可协议和专利采购协议。由于涉及商业秘密条款,双方并未披露交易金额。2019年9月,长鑫12英寸晶圆厂投产,推出8GBDDR4,实现了国内主流DRAM芯片从0到1的突破。西安团队“重建”奇梦达宣布破产,其在西安的团队也濒临解散。关键时刻,国内IT巨头浪潮集团出手收购并完成改制,2009年12月,奇梦达科技(西安)有限公司由此重生为西安华芯半导体有限公司(简称:西安华芯),实现了从外资到内资的身份转变。来源:紫光国芯官网此后数年间,西安华芯逐步恢复活力。2010年自主研制的存储器产品上市;2011年建立首个全球离岸设计服务中心;2012年首款模组产品实现规模销售,并开拓系统产品业务线等。真正的转折发生在2015年。紫光集团旗下紫光国芯微电子股份有限公司收购西安华芯,后者更名为西安紫光国芯半导体有限公司,正式纳入“紫光系”版图。并入紫光后,公司技术路线持续拓展:2017年首款KGD产品推向市场;2019年随着CXL协议发布,公司组建相关产品线,并于2021年启动研发,聚焦内存扩展方案的主控芯片与模组部件。2022年,紫光集团完成司法重整,新紫光集团成立,实控人变更为智广芯控股。在新架构下,紫光国芯被明确为集团存储板块的核心企业,承担起存储芯片自主化的重要使命。伴随集团重整完成,资本市场路径逐渐清晰。新紫光集团联席总裁陈杰曾公开表示,集团鼓励下属产业公司“积极拥抱资本市场,实现长期稳健的发展”。2023年,紫光国芯完成股份制改制,逐步启动资本市场步伐。2024年,紫光国芯成功登陆新三板;2025年5月20日,公司股票进入创新层。2026年6月30日,紫光国芯正式向北交所提交招股书,辅导机构为中信建投证券,开启IPO冲刺之旅。从德国芯片巨头的研发分支,到破产企业的遗留团队,再到本土资本接手,最终融入国家半导体产业主力阵营,紫光国芯的起伏辗转,亦折射出中国存储器产业从引进消化到自主创新的漫长征程。巨头和新星虽然技术起点相似,但两家企业走出了完全不同的道路,关于“西安是否错失长鑫”的讨论,或许不宜再简单归结为得失。长鑫科技与紫光国芯代表了两种不同的路径,前者是冲顶全球赛道的“重器”,后者是深耕细分市场的“尖兵”。获得奇梦达的技术遗产只是起点。长鑫科技真正的突围,靠的是自己的工程能力。招股书显示,长鑫科技已完成从第一代到第四代工艺技术平台的量产,以及从DDR4、LPDDR4X到DDR5、LPDDR5/5X的产品覆盖和代际演进。模式上,长鑫科技选择的是IDM(垂直整合制造)模式,三星、SK海力士、美光都是如此。这一选择背后,是长鑫肩负“打破海外垄断、实现DRAM自主可控”的战略使命,因而必须走一条最难却最彻底的道路:覆盖从设计到制造的全链条自主研发与生产,将核心技术牢牢握在自己手中。IDM模式的优势在于工艺开发与芯片设计深度协同,迭代速度快、良率爬升快、性能调优能力强,但代价是重资产、高投入、长周期。长鑫科技在合肥、北京布局了3座12英寸DRAM晶圆厂,产能位居中国第一、全球第四。长鑫科技的出现,改写了全球DRAM市场“三强独大”的格局。不过,这种模式只有在大规模量产之后才能体现经济效益,前期需要承受巨大的亏损压力。2022年至2024年,长鑫科技累计亏损超过300亿元,所幸有国资和各大机构的深度参与和持续输血。从股权结构看,第一大股东合肥清辉集电持股21.67%,第二大股东长鑫集成持股11.71%,二者背后实控人为合肥市国资委。长鑫也因此被视为“合肥模式”在半导体领域的典型代表。来源:长鑫科技招股书与之不同,紫光国芯采用Fabless(无晶圆厂)轻资产模式,业务覆盖晶圆产品、芯片产品、系统产品及设计服务,是国内少数具备全品类DRAM研发、设计与规模化供货能力的厂商之一。从产品布局看,公司晶圆与芯片产品主攻利基型DRAM市场,系统产品聚焦PC与服务器领域。利基型DRAM市场需求碎片化、产品规格多、批量小。Fabless模式更加灵活,紫光国芯可以快速响应不同客户的定制化需求。概而言之,一条是“国家意志+重资产投入+规模效应”的IDM模式,承载着存储芯片自主可控的战略抓手;另一条是“市场驱动+轻资产运营+差异化竞争”的Fabless模式,擅长敏锐捕捉市场变化。在板块选择上,长鑫科技因“打破垄断、实现自主”的战略价值,选择登陆科创板。该板块为其提供了充足的估值空间和融资能力,以支撑未来数年的产能扩张与技术研发。而紫光国芯则落子北交所,作为高成长性的中小型企业,精准契合北交所“服务创新型中小企业”的定位,而北交所日益提升的关注度与流动性,也让这一选择恰逢其时。跳出“城市竞争”的框架,两家存储企业,不同的板块选择和发展路径,共同构成了中国存储芯片产业资本化的完整图景。(本文不构成任何投资建议,投资者据此操作,风险自担。)小麦黄瓜科技成就发布:为“米袋子”“菜篮子”装上“中国芯”

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  受高空低槽东移影响,16日河南省有分散性阵雨、雷阵雨,雨量分布不均,中西部局部中雨或大雨,并伴有短时强降水、雷暴大风等强对流天气。

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  美国财政部本周早些时候也公布了新的反俄制裁方案,涉及俄罗斯以及中国等其他国家的300多家公司、银行和数十名个人。中国外交部发言人林剑13日表示,美国在全球范围内滥施单边制裁贻害无穷,严重损害他国主权安全,造成人道惨剧,破坏产供链稳定。乌克兰危机升级后,美方制裁更是变本加厉。而这种乱舞制裁大棒的做法,不仅无助于问题的解决,反而成为世界一个主要的风险源头。

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