继5月17日，国产存储芯片大厂长鑫科技更新IPO招股书，并披露了炸裂的财务数据引发市场热议后，又一家国产存储芯片龙头也启动了IPO。5月19日，据证监会官网消息，国产存储芯片龙头长江存储控股股份有限公司（下称“长存集团”）正式提交了IPO上市辅导备案。辅导机构为中信证券和中信建投。资料显示，长存集团成立于2016年，总部位于湖北武汉，是一家集芯片设计、生产制造、封装测试及系统解决方案产品于一体的存储器IDM企业。其全资子公司长江存储在胡润研究院2025全球独角兽榜中位列中国十大独角兽第9、全球第21，估值1600亿元，是半导体行业估值最高的独角兽。Xtacking改写3DNAND游戏规则作为长存集团发展的核心引擎，长江存储在存储芯片技术领域屡获突破，斩获多项国际大奖，为产品创新奠定了坚实的技术基础。其，长江存储自主研发的晶栈Xtacking架构是企业的核心技术王牌，该架构开创性的采用了晶圆键合这一关键技术，在传输速度、存储密度、研发效率及生产周期都具有突破性优势。过去传统的NANDFlash制造是只使用一块晶圆，NAND阵列和CMOS电路的集成要么是将CMOS电路放置在单元阵列旁边（CMOSNextArray或CAN），要么将CMOS电路放置在NAND阵列(CUA)下方。大多数NANDFlash供应商在其最初的3DNAND工艺中实施CAN方法，然后在后续工艺中迁移到CUA架构。仅美光和Solidigm在32层3DNAND路线图之初就实施了CUA架构。随后三星、SK海力士也转向了CUA架构，三星称之为COP（Cell-on-Perry），SK海力士称之为PUC（Cell-Under-Cell）。在传统3DNAND架构中，外围电路约占芯片面积的20~30%。而随着3DNAND技术堆叠到128层甚至更高，外围电路所占据的芯片面积或将达到50%以上，这也造成了存储密度的降低。同时，这种方法最多可容纳300多层的NAND，否则施加于底部电路上的压力可能会对电路造成损坏。为了解决这一问题，长江存储早在2018年推出了全新的Xtacking技术，推动了高堆叠层数的3DNAND制造开始转向了CBA（CMOS键合阵列）架构。即通过将两块独立的晶圆分别制造NAND阵列和外围CMOS逻辑电路，然后将CMOS逻辑电路堆叠在NAND阵列之上。由于NAND晶圆和CMOS电路晶圆可以在不同的生产线上制造，因此可以使用各自优化的工艺节点分别生产，不仅可以缩短生产周期，还可以降低制造复杂度和成本。同时，CBA架构也可以使得NAND芯片的每平方毫米的存储密度、性能和可扩展性可以进一步提高。Xtacking架构凭借独特的设计理念与领先的技术性能，先后三次斩获FMS奖项，成为全球3DNAND技术领域的重要创新成果。目前晶栈Xtacking架构已经迭代至4.0版本，Xtacking4.0也在2025年8月斩获FMS20253DNAND类目“最具创新存储技术奖”，这一奖项的获得，充分印证了长江存储在3DNAND技术领域的重要地位，也体现了国际市场对国产存储芯片技术的高度认可。依托Xtacking这一核心技术，长江存储率先业界量产了232层NAND产品，并且有消息显示采用Xtacking4.0架构的长江存储新一代NAND闪已经达到300层以上。值得一提的是，Xtacking技术的实现，需要将分别用于制造NAND阵列和外围CMOS逻辑电路的两片晶圆进行完美的垂直互连，而这必须要用到混合键合技术，因此，长江存储在推动Xtacking技术持续多年的不断迭代商用过程中积累了大量的相关专利。因此，当三星、SK海力士等存储大厂转向与Xtacking技术类似的架构时将不可不免的面临专利方面的障碍。2025年2月，韩国媒体ZDNetKorea就曾报道称，多位知情人士表示，三星与长江存储签署“混合键合”技术专利许可协议，是因为三星的判断是“开发V10、V11和V12等下一代NANDFlash，几乎不可能规避长江存储的专利”。这样从侧面印证了长江存储强大的技术积累。OEM端多点开花，自有品牌“致态”领跑得益于技术上的领先，长江存储作为最大的国产NANDFlash制造商，近年来在国内市场也取得出色的成绩。在面向B端客户的供应链（OEM）端，长江存储的存储颗粒和解决方案已被江波龙、佰维存储等模组厂，以及华为、雷克沙、光威、宏碁等品牌厂商广泛采用。在消费级零售市场，长江存储的自有品牌“致态”（ZHITAI）也已经在国内SSD硬盘市场占据了重要地位。根据京东平台的数据，在2025年的“双十一”购物节中，致态品牌获得了SSD品类的交易总额（GMV）与总销量的双料冠军。这已经是致态连续第三次在大型电商促销活动中取得这一成绩，此前在2024年的“双十一”和2025年的“618”也均实现了SSD品类的“双冠王”。其中，TiPlus7100这款固态硬盘产品，更是在2025年“双十一”期间拿下了单一产品的销量冠军。长江存储近期推出首款PCIe5.0商用SSD——PC550，该产品搭载X4-90703DTLC闪存颗粒，接口速率为3600MT/s，相比上一代提升50%，存储密度也提升了36%。凭借领先的技术性能成功跻身PCIe5.0消费级赛道主流阵营，彰显了长存集团在高端存储领域的硬核技术实力。可以说，PC550的推出，是长存集团将核心技术转化为市场产品的重要成果，不仅丰富了企业的高端产品矩阵，也进一步完善了企业的产品布局，满足了市场对高端存储产品的需求。另外，自去年下半年以来，由于人工智能需求爆发所驱动的庞大数据存储需求，导致NANDFlash供不应求、价格暴涨，由于三星、SK海力士、美光等原厂优先供应数据中心及企业级应用，使得众多消费类电子品牌大厂都面临供应短缺和成本问题。因此，自年初以来一直有传闻称，多家国际PC大厂和某智能手机大厂都有考虑采用长江存储的NANDFlash。若传闻属实，这将标志着长江存储的客户群将从以中国为中心的市场重新进入全球顶级手机制造商的供应链。三期项目建设加速，总产量将达全球第三近年来，随着长江存储在国内市场的持续开拓，其产能也在持续扩张。长江存储武汉一期项目于于2016年12月正式开工建设，规划总投资240亿美元（含二期），2018年底建成投产，经过数年建设与产能爬坡，这条产线已经稳定在月产10万片12英寸晶圆的满产状态。2020年6月，长江存储二期项目正式动工，分为2A和2B，总规划月产能为10万片晶圆，2A于2024年正式投产，投产后仅用约两年时间，即达到其最大设计产能。目前2B也正在产能爬坡当中。长江存储三期项目于2025年9月宣布正式动工（有消息称2024年8月就已经开始土地平整），该项目的公司主体——长存三期（武汉）集成电路有限责任公司（以下简称“长存三期”）成立于9月5日，注册资本207.2亿元。据《长江日报》报道，三期项目今年1月就已经开始安装洁净室，计划今年内建成投产。三期项目设计月产能为10万片，预计2027年可实现月产能5万片。第三方机构的预测数据显示，长江存储2025年的NANFlash晶圆产量已经从2024年的129万片增长至2025年的177万片，排名全球第四，仅次于铠侠、三星和SK海力。而今年长江存储的产量将有望达到200万片，超越SK海力士（约190万片），仅次于日本铠侠（482万片）和三星电子（468万片）。而一旦长江存储三期项目生产线的全面投产，届时其产量将有望进一步提升。（注意，这里说的是“产量”非“产能”。由于当前AI需求爆发所当中的DRAM需求暴增，而AI所需的DRAM利润率更高，因此三星电子和SK海力士有将部分NAND产能转向生产DRAM，新建的产能也以DRAM为主。）估值1600亿：从国资“输血”到市场化融资长江存储的发展起点可追溯至2016年，国家存储器基地项目在武汉落地，长江存储作为实施主体承载了中国存储芯片自主化的战略使命。在产业发展最艰难的前期阶段，湖北、武汉、光谷三级国资累计投入超过300亿元，扛过了长期亏损周期。这一阶段的长江存储，本质上是典型的“国资主导、产业培育”模式。彼时的融资逻辑并非追求财务回报，而是服务于国家战略——打造中国唯一具备3DNAND闪存完整产业链能力的IDM企业。近年来，随着长江存储在市场上获得成功，也开始引入市场化资本。根据IPO辅导备案报告显示，长存集团当前注册资本高达178.2亿元，最显著的特征是无控股股东。第一大股东湖北长晟发展有限责任公司直接持股26.5442%，天眼查数据穿透后显示，湖北长晟由湖北集成电路产业投资基金、武汉光谷金融控股集团及长江产业投资集团共同持股。这意味着，武汉市国资委是穿透后的实控力量，但这一控制力并未通过单一主体集中实现，而是在不同国资平台之间形成了天然制衡。从整体股东阵容来看，长存集团形成了“国资引领、产业协同、多元持股”的鲜明格局。核心股东大致可分为四类：1.国资基石股东：除了持股26.5442%的第一大股东湖北长晟外，还包括武汉光谷产业投资（9.2550%）、湖北国芯产业投资（5.9039%）、长江产业投资集团（2.5282%）等地方国资力量。2.国家级产业资本：国家集成电路产业投资基金一期（11.9691%）、二期（11.3761%）双双入局，体现了长存集团在国家半导体战略版图中的核心地位。国家集成电路产业投资基金一期还与武汉国资间接通过武汉芯飞科技投资持股25.3538%。3.国有大行金融资本：建信投资、中银资产、农银投资、交银投资、工银资本等五大行系投资机构悉数在列。这组“银行系”股东的集体入场，既提供了充裕的资金保障，也传递出金融机构对该项目稳健性的认可信号。4、市场化资本：2025年4月，上市公司养元饮品子公司芜湖闻名泉泓以16亿元获得0.99%股权，彼时对于长存集团的估值已达1616亿元。此番引入市场化资本为后续估值定价提供了参照。值得一提的是，长存集团的这种分散化架构与长鑫科技颇为相似——后者同样无控股股东和实际控制人，第一大股东清辉集电持股21.67%。国产存储“双雄”不约而同地选择分散制衡的顶层设计，似乎已非巧合，或反映了战略性半导体项目在监管沟通与治理稳定性之间的某种共识。国产存储“双雄”齐聚IPO长江存储IPO辅导启动，恰逢国产存储另一巨头长鑫科技刚刚更新招股书。两家公司分别为中国DRAM和NANDFlash领域的龙头企业，被业界称为国产存储“双雄”。长鑫科技是国内最大DRAM厂商，拟在科创板上市，计划募资295亿元。2025年第四季度全球DRAM市场份额7.67%。2026年一季度营收508亿元，归母净利润高达247.62亿元。长鑫科技还预计，今年上半年公司营收将达1100亿元~1200亿元，归母净利润500亿元至570亿元。长存集团旗下长江存储则是国内唯一3DNANDFlash原厂。根据市场调研机构CounterpointResearch的报告显示，2025年第四季度全球NAND存储市场份额中，长江存储占比11%，位列全球第六。据媒体报道，长江存储2025年前三季度营收同比增长97.79%；2026年第一季度营收较去年同期实现翻倍增长。当前，全球AI需求爆发、核心硬件成本暴涨，存储芯片正迎来由AI驱动的超级周期。中信证券研报表示，受AI强劲需求拉动，存储需求将保持高景气度，存储芯片的缺货、涨价有望贯穿2026年全年并持续带来行业催化。显然，在行业超级周期窗口期，若两家公司顺利登陆A股，国产存储“双雄”将获得更充足的资本支持，加码技术研发与产能扩张。这既是中国半导体产业加速追赶的关键一跃，也将为全球存储芯片产业的多元化发展注入新动能。有分析人士认为，鉴于长存集团与长鑫科技当前的业绩，这两家国产存储龙头成功登陆资本市场后，市值都有望突破万亿。
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