英特尔宣布完成美国国防部RAMP-C（快速保障微电子原型-商业）计划，18A工艺也已验证通过，可为美军提供芯片量产服务。而参与该计划的国防工业客户已从测试芯片阶段进入本土大规模制造阶段。该计划自2021年9月启动，分三阶段推进：技术基础搭建、客户导入与生态扩展、先进原型设计与制造验证，旨在美国本土建立领先的CMOS技术研发与制造能力。为此，美国专门拨款高达30亿美元直接资助英特尔，用于实施该计划。技术方面，RAMP-C计划的核心是推进Intel18A工艺节点，该工艺引入了RibbonFET全环绕栅极晶体管和PowerVia背面供电技术，可显著提升每瓦性能和晶体管密度。RAMP-C项目负责人表示，该计划成功开发了关键的本土先进半导体技术和设计生态，为国防工业基地客户提供了安全芯片制造路径。而英特尔也成为美国唯一一家集研发、制造先进半导体技术于一身的公司。值得注意的是，英特尔18A此前已获多家外部客户订单。完成RAMP-C认证意味着英特尔代工在安全芯片制造领域迈出关键一步，对台积电独占的相关代工市场形成直接挑战。

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